تحلیل نظری کنترل حالتهای زیرباندی گاز الکترون دو بعدی با ضخامت لایه سرپوش در ساختارهای نامتجانس AlxGa1-xN/GaN
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,496
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_140
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
Abstract:
در این مقاله ساختارزیرباندی وگذار بین زیر باندها به عنوان تابعی از ضخامت لایه سرپوش , با حل خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگردرساختارهای Al x Ga 1− x N / GaN بررسی می شوند . کسر نسبی آلومینیوم در این بررسی یک , وضخامت لایه سدی 40 آنگستروم در نظر گرفته شده است . نتایج محاسبات نشان می دهد که تفاوت انرژی بین اولین و دومین زیر تراز که متناظر با طول موجهای مادون قرمز دور و متوسط می باشد . با تغییر ضخامت لایه سرپوش تغییر می کند . هرچه ضخامت لایه سرپوش افزایش یابد , فاصله انرژی بین دو زیر باند اول و دوم کاهش یافته وهمپوشانی توابع موج الکترون در این دو تراز افزایش می یابد و بنابراین گذار بین این دو زیر تراز بیشتر شده و ضریب جذب بزرگتر می شود . برای ساختارهای با کسر نسبی بالا ( مثلا یک ) وضخامت زیاد لایه سد ( مثلا 40 آنگستروم ) انتگرال همپوشانی بین دو تراز و قدرت نوسان کنندگی مستقل از ولتاژ اعمالی دریچه است . بنابراین در این بررسی ولتاژ دریچه صفر در نظر گرفته شده و فقط اثر تغییرات ضخامت لایه سر پوش بررسی می شود .
Authors
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
سعید شجاعی
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز