مرتضی فتحی پور - گروه برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
زهرا آهنگری - دانشکده فنی

این مقاله دو ساختار همارز Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET (SOI MOSFET) و Double Gate MOSFET (DG MOSFET) مورد بررسی و شبیهسازی قرار گرفتهاندساختار DGMOSFET دارای Ioff کمتری نسبت به ساختار SOI میباشد . نسبت Ion/Ioff در ساختار DG بالاتر از ساختار SOI میباشد . اثر کاهش سد پتانسیل القا شده از درین (DIBL) در SOI MOSFET شدیدتر از DG MOSFET ساختاراست . DG` دارای قابلیت حرکت بالاتری نسبت به ساختار SOI میباشد