طیبه قدس الهی - دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات،
محمدعلی ساقی - دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات،
عزیزاله شفیع خانی - مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات، تهرا ن , دانشگاه الزهرا , تهران

لایه های نازک کربن _ مس را با استفاده از گاز استیلن بروش نشست از فاز بخار شیمیایی با پلاسمای ناشی از امواج رادیویی بر روی زیر لایه هایی از جنس شیشه و سیلیکن در دمای اتاق رشد دادیم . . لایه ها به کمک طیف سنجی امواج ایکس(XPS )پس پراکندگی راترفورد (RBS) ومیکروسکوپ نیروی اتمی (AFM ) مشخصه یابی شدند . اثر فشار وتوان لایه نشانی بر نسبت مس به کربن این لایه ها بررسی شد . در توان ثابت , کاهش فشاربا افزایش نسبت مس به کربن همراه است ودر فشارثابت , با اافزایش توان این نسبت افزایش می یابد . همچنین تغییرات فشار وتوان بر اندازه نانو ذرات وتشکیل خوشه های مس تاثیر داردو شرایط بهینه برای تشکیل این نانو ذرات معرفی می شود