مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون - کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor
Publish place: Regional Conference on Electricity and Computer
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 619
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MARAGHEH01_037
تاریخ نمایه سازی: 24 اردیبهشت 1393
Abstract:
این مقاله یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن را از طریق شبیه سازی نشان می دهد. راه حل سری فوریه به منظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی (Ambipolar) در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود. این مدل توسط MARLAB و Simulink تحقق می یابد. نتایج حاصل از شبیه سازی تغییرات شکل موج ها بدست خواهند آمد.
Keywords:
ترانزیستور پیوند دو قطبی سیلیکون کاربید , مدلسازی نیمه هادی قدرت
Authors
پریسا بهرامی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، دانشکده مهندسی برق و الکترونیک، یزد، ایران
محسن معصومی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم،گروه مهندسی برق و کامپیوتر، جهرم ، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :