همایون ابراهیمیان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، دانشکده فنی و مهندسی، گروه مهندسی پزشکی، اردبیل، ایران
سیدمحمد فیروزآبادی - دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده علوم پزشکی گروه فیزیک پزشکی، تهران، ایران
مهیار جان احمدی - دانشگاه علوم پزشکی شهید بهشتی، گروه فیزیولوژی و مرکز تحقیقات علوم اعصاب، تهران، ایران

رشد تکنولوژی، افزایش میدان‌های مغناطیسی کم فرکانس محیطی را به همراه داشته و به تبع، توجه مجامع علمی را به اثرات بیولوژیک این میدان‌ها معطوف کرده است. هدف از بررسی حاضر نشان دادن تأثیر میدان‌های مغناطیسی کم فرکانس 50 هرتز سینوسی بر فعالیت کانال‌های یونی سلول عصبی F1 حلزون باغی می‌باشد. بر اساس اندازه‌گیری شدت میدان‌های مغناطیسی محیطی، محدوده‌ای از چگالی شار میدان مغناطیسی (207/2-2/83 میکروتسلا) با فرکانس 50 هرتز در سیستم مولد میدان مغناطیسی ایجاد شد. فعالیت بیوالکتریک سلول‌های عصبی F1 با روش ثبت داخل سلولی گیرش جریان (Current Clsmp) در فواصل زمانی مختلف در گروه کنترل، شاهد و آزمایش بررسی شد. تابش میدان‌های مغناطیسی پالسی موجب کاهش دامنه و فرکانس پتانسیل‌های عمل سلول عصبی F1 شد. همچنین دامنه هیپرلاریزاسیون متعاقب و طول مدت پتانسیل عمل پس از اعمال میدان به طور معنی‌داری (P>0.05) افزایش می‌یابد. با مدلسازی سلول عصبی تحت تأثیر میدان‌های مغناطیسی این تغییرات بر روی کانال‌های یونی مشخص گردید. نتایج حاصل از این تحقیق نشان می‌دهد که میدان‌های مغناطیسی 217 هرتز با شدت‌های مختلف روی فعالیت خود به خودی سلول عصبی تأثیر گذاشته و تغییرات ایجاد شده در پارامترهای کانال‌های یونی سلول عصبی موجب تغییرات تحریک‌پذیری می‌شود.

مدلسازی سلول عصبی، کانال‌های یونی، کلمپ جریان، میدان‌های مغناطیسی سینوسی 50 هرتز، میدان‌های مغناطیسی ELF