شبیه سازی و مقایسه جریاندهی نانولوله گالیم نیترید با نانولوله کربنی در حضور گیت مسطح
Publish place: Conference on Electrical Engineering and Sustainable Development with a focus on new achievements in electrical engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 669
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_172
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
Abstract:
نانو لوله های گالیم نیترید شبیه سازی شده و با نانولوله های کربنی مقایسه شده است .نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که نانولوله هایگالیم نیترید عمدتا نیمه هادی می باشد.محاسبات ساختار باند انرژی و چگالی حالت موید این مطلب است.در این مقاله ازیک مدل تحلیلی دقیق کهبر اساس تئوری تابع چگالی( DFT ) پایه ریزی شده،استفاده گردیده است. مشخصه ولتاژ -دجریان یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله ای با گیت مسطح که کانال آن از نانو لوله گالیم نیترید زیگزاگ می باشد مورد بررسی قرار گرفته و نتایج حاصل با نانو لوله کربنی مقایسه شدهاست. نتایج نشان میددهد با ابعاد و در شرایط مشابه ترانزیستورهای نانولوله گالیم نیترید نسبت به نانولوله های کربنی جریاندهی کمتری دارند.
Keywords:
Authors
فهیمه دبیری
دانشکده تحصیلات تکمیلی،دانشگاه آزاد بوشهر
زهیر کرد رستمی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شیراز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :