افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف
Publish place: International Conference and Exhibition on Solar Energy
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,196
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESE01_063
تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1393
Abstract:
در سلولهای خورشیدی لایه نازک CIGS به علت ضخامت بسیار کم لایه جاذب و بافر، نور زیادی به کنتاکت پشتی می رسد ،سرعت بالای حاملین (107cm/s)و بازترکیب سطحی از عوامل اصلی تلفات و کاهش بازده این سلولها به شمار می رود و از طرفی لایه اکسید شفاف ZnO که نیمه هادی نوع n است در نقطه اتصالش به کنتاکت فلزی( کاتد) با ایجاد سد شاتکی عامل دیگری در ایجاد تلفات سلول می باشد. در این مقاله برای بهبود بازده این سلولها روشی پیشنهاد شده است که اساس آن افزایش دوپینگ قسمتی از لایه جاذب برای ایجاد میدان سطحی و سوق دادن الکترونها به سمت لایه جاذب به منظور کاهش بازترکیب حاملین در کنتاکت پشتی و افزودن لایه n+ به اکسید شفاف و تبدیل اتصال فلز- نیمه هادی به کنتاکت اهمی برای کاهش اثر سد شاتکی و اثر مقاومت سری سلول است،که اثرات آن به ازای ضخامت های مختلف برای لایه p+ بحث شده است. با استفاده از این روش ، بهترین نتیجه در ضخامت 2.99 میکرومتر برای لایه p+ و100 نانومتر برای لایه n+ بدست آمد که بازده سلول پایه 3.11% افزایش یافته و به 20.63% رسیده است.
Keywords:
اثر لایه p+-اثر لایه n+ - سلول لایه نازک CIGS- بازترکیب سطحی- سد شاتکی
Authors
هما هاشمی مدنی
دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات هرمزگان
مسعود جباری
معاون آموزشی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :