افزایش راندمان سلول فتوولتاییک با استفاده از مبدل ترموالکتریک براساس پیوند p-n با مساحت زیاد و بر پایه ماده ی SiGe

عملکرد ماژول فتوولتاییک ) PV ( تحت تاثیر دماست که در نتیجه ی افزایش دما، راندمان سلول فتوولتاییک تا حدود 52 درصد کاهش می یابد. ماژول ترموالکتریک می تواند عملکرد ماژول PV را افزایش دهد، بدین طریق که از گرمای تلفشده در سلول PV ، توسط پیوستن مبدل ترموالکتریک ) TE) در عقب ماژول PV استفاده می کنیم که در این صورت ماژول ترکیبی PV-TE ایجاد میشود. به منظور تولید توان ترموالکتریکی از یک پیوند p-n با مساحت زیاد استفاده شده است که با اعمال یک گرادیان دمایی در طول پیوند،زوج الکترون و حفره تولید شده در اثر گرما به دلیل کاهش پتانسیلدرون ساخت،از یکدیگر جدا شده که این امر سبب تولید جریانی از هر دو حامل الکترون و حفره از طرف گرم به سوی طرف سرد ساختار میشود که راندمان بالاتر و هزینه کمتری را نسبت به روش های مرسوم تولید توان ترموالکتریکی داراست. دراین مقاله از شبیه ساز صنعتی Silvaco که شامل مدل های بسیار دقیق می باشد استفاده شده است. نتایج به دست آمده از استفاده از ماده ی سیلیکون ژرمانیوم در افزاره ی ترموالکتریک حاکی از بهبود راندمان سلول فتوولتاییک از6/8به 9/3 دردمای 356 کلوین است