بهبود بازده سلول خورشیدی فراپیوند مبتنی بر مواد GaInP/GaAs

در این مقاله ساختار یک سلول خورشیدی مبتنی بر مواد GaInP/GaAs را با نرم افزار Silvaco/Atlas مورد مطالعه و شبیه سازی قرار داده ایم و به منظور بهبود عملکرد سلول از سلول تک پیوندی AlInGaP به جای امیتری که از جنس GaAs است، استفاده کرده ایم که گاف انرژی بزرگتری نسبت به GaAs دارد. جنس لایه بیس را همان GaAs در نظر گرفته و آن را به دو لایه با ضخامت یکسان تقسیم کرده ایم. برای ایجاد یک میدان اضافه چگالی ناخالصی AlInGaP دو مقدار متفاوت در نظر گرفته می شود که سبب ایجاد یک میدان اضافه می شود. سپس اثر تغییر چگالی ناخالصی لایه های جدید را بر روی جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز، ضریب پرشدگی و بازده تبدیل نشان داده ایم و با به دست آوردن چگالی ناخالصی بهینه برای هر یک از لایه های سلول خورشیدی، ساختاری بهینه به دست آورده ایم. برای ساختار بهینه ی سلول خورشیدی پس از شبیه سازی تحت تابش AM0، ، و به دست آمدند که نشان دهنده ی بازدهی تبدیل می باشد که نسبت به ساختار اولیه افزایش داشته است. ترکیب نتایج باعث به دست آمدن یک مشخصه ی مناسب از سلول خورشیدی GaInP/GaAs می شود.