اثر بی نظمی روی چگالی حالتهای جایگزیده در سیمهای کوانتومی
Publish place: 8th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,438
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_037
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
Abstract:
در این مقاله با استفاده از تقریب پتانسیل همدوس (CPA) و روش بستگی قوی تک نواری اثر ناخالصی را روی چگالی حالتهای الکترونی جایگزیده (LDOS) در یک سیم کوانتومی مطالعه می کنیم. نتایج محاسبات عددی نشان می دهد که LDOS وابستگی قوی با غلظت ناخالصی دارد با افزایش ناخالصی تیزی قله ها و همچنین پهنای نوار کاهش می یابد. این نتایج می تواند در ساخت دستگاه های نانوالکترونیک مفید باشد.
Authors
علیرضا صفارزاده
دانشگاه پیام نور، تهران
محمود بهار
مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات، پژوهشکده علوم نانو، تهران
انسیه محمودی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال