ایجاد تخلخل های میکرونی منظم به روش الکتروشیمیایی بر روی پایه های سیلیکون نوع p
Publish place: 8th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,697
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_049
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
Abstract:
تخلخل هایی از ابعادمیکرونی به روش الکتروشمیایی ب استفاده از محلول پایه ی شامل DMF (دی متیل فرمامید) و اسید HF بر روی پایه های سیلیکون نوع P ایجاد گردید. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی تاثیر پارامترهای مهم مانند زمان خوردگی، چگالی جریان ، غلظت اسید و نوع الکترولیت بر ساختارتخلخل حاصل بررسی شد. افزایش زمان خوردگی باعث نازک تر شدن دیواره های سیلیکونی و افزایش ضخامت لایه متخلخل می شود. در حالی که افزایش چگالی جریان الکتریکی موجب شکل گیری بهتر سوراخ ها و منظم تر شدن آنها میشود. با افزایش غلظت اسید برخی دیواره های سیلیکونی ریزش کرده و سوراخ ها بزرگ می شوند . همچنین در این مطالعه مشخص شد کمه محلول DMF نقش بسیار مهمی درتشکیل حفره های میکرونی دارد.
Authors
نجمه السادات تقوی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
فاطمه راضی آستارایی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
اعظم ایرجی زاد
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نا
فرشته رحیمی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :