فرامرز کنجوری - دانشکده فیزیک دانشگاه یزد ، یزد

مقالهی حاضر به بررسی نظری اثر ناخالصی نقطهای درون یک لایهی دیالکتریک (I) که بین دو الکترود فرومغناطیس (F) قرار دارد، بر مشخصهی ولت - آمپر و مقاومت مغناطیسی تونلی(TMR) میپردازد . نشان داده شده است که جریان و TMR در نزدیکی ناخالصی به شدت افزایش مییابد . همچنین اگر مکان ناخالصی درون دی الکتریک نسبت به مرز لایهها متقارن نباشد،I-V رفتاری دیودگونه خواهد داشت .