پویا هاشمی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
یاسر عبدی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
سیدشمس الدین مهاجرزاده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
جابر درخشنده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف

ساختارهای نانو بلوری سیلیکان و ژرمانیم به کمک هیدروژناسیون با پلاسمای RF و حرارت دهی در چندین مرحله متوالی و بدون نیاز به استفاده از فلز ، بر بستر شیشه ای رشد داده شده اند . این فرآیند منجر به ایجاد ساختار های دانه ای سیلیکان و ژرمانیم با اندازه متوسط دانه کمتر از 100 نانومتر به ترتیب در دماهای پایین150 °C و 250 °Cمی شود . اثر توان پلاسمای هیدروژن در دماهای مختلف بر روی بلورینگی این لایه ها به کمک آنالیز TEMو SEM بررسی شده اند . با کنترل دمای حرارت دهی و توان پلاسما ، لایه های چند بلوره سیلیکان و ژرمانیم با کیفیت افزاره ای رشد داده شده اند که می توان از آنها در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک که در الکترونیک مساحت بزرگ ارزان قیمت کاربرد دارند ، استفاده کرد