غلام حسین لطفی - دکترای الکترونیک عضو هئیت علمی دانشگاه علم و صنعت
نگین امیری - دانشگاه کارشناسی رشته مهندسی برق الکترونیک دانشگاه رازی کرمانشاه

در این مقاله مدارات منطقی با استفاده از ترانزستورهای اثر میدان (FET) بر اساسنانوتیوب های کربن نشان داده شده است طرح پیشنهادی قطعه مشخصه های مطلوبی از جمله بهر (بزرگ تر از 10) نسبت روشن خاموش بالا (بزرگ تر از 105) و عملکرد در دمای اتاق را نشان می دهد مهم تر از آنکه نمونه آزمایشی با گیت های محلی اجازه اجتماع قطعات زیادی را روی یک تراشه فراهم می کند مدارات یک دو و سه ترانزیستوری نشان داده شده است که محدوده ای از عملیات منطقی را به نمایش می گذارند از آن جمله می توان به معکوس گر NOR (NOT) منطقی یک سلول دسترسی اتفاقی اطلاعات Memeory random access و یک اسیلانور ac اشاره کرد که عملکرد هر کدام به طور مستقل توضیح داده شده است. طرح قطعه پیشنهادی اجازه می دهد پدیده های فیزیکی جالب و جدیدی را که منحصر به نانو تیوب هاست از جمله افزودن شدید ناخالصی sttong doping تحلیل دقیق تغییرات جریان تطابق قابل قبول نتایج تئوری با اندازه گیری ها و تغییرات انتشار بار کشف کنیم.

نانو الکتریک ، ترانزیستور نانو تویب ، ترانزیستور اثر میدان (FET) قطعات مجتمع ، تراشه ، الکترونیک مولکولی