طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی CMOS برای مخابرات نوری با نرخ داده 2.5 Gb/sتوان مصرفی کم
Publish place: 16th Iran"s Electrical Engineering Student Conference
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 791
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE16_095
تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده امپدانس انتقالی – (TIA) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه گردیده است.مدار (TIA) ارائه شده بافناوری CMOS 90nm طراحی و با نرم افزار HSpice شبیه سازی شده است.تقویت کننده ی پیشنهاد شده دارای ساختار سه طبقه سورسمشترک بوده و به منظور افزایش پهنای باند از تکنیکهای (Inductive Peaking) و (Capacitive Degeneration) به طور همزمان استفاده شدهاست که پهنای باند تقویت کننده را به GHz 2/70 رسانده است. بهره ی تقویت کننده dB 66 بوده و توان مصرفی آن با یک منبع تغذیه ی یک ولتفقط μw 931 می باشد که نسبت به کارهای گذشته بی نظیر است.نتایج حاکی از آن است که این تقویت کننده پیشنهادی برای استفاده درمخابرات نوری با نرخ داده 2.5 Gb/s بسیار مناسب می باشد.
Keywords:
Authors
احمد موری زاده خاکی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مسعود عمومی
دانشگاه صنعتی اصفهان
ابراهیم برزآبادی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :