احمد موری زاده خاکی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مسعود عمومی - دانشگاه صنعتی اصفهان
ابراهیم برزآبادی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

در این مقاله یک تقویت کننده امپدانس انتقالی – (TIA) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه گردیده است.مدار (TIA) ارائه شده بافناوری CMOS 90nm طراحی و با نرم افزار HSpice شبیه سازی شده است.تقویت کننده ی پیشنهاد شده دارای ساختار سه طبقه سورسمشترک بوده و به منظور افزایش پهنای باند از تکنیکهای (Inductive Peaking) و (Capacitive Degeneration) به طور همزمان استفاده شدهاست که پهنای باند تقویت کننده را به GHz 2/70 رسانده است. بهره ی تقویت کننده dB 66 بوده و توان مصرفی آن با یک منبع تغذیه ی یک ولتفقط μw 931 می باشد که نسبت به کارهای گذشته بی نظیر است.نتایج حاکی از آن است که این تقویت کننده پیشنهادی برای استفاده درمخابرات نوری با نرخ داده 2.5 Gb/s بسیار مناسب می باشد.

گیرنده مخابرات نوری، تقویت کننده امپدانس انتقالی، فناوری CMOS ، توان مصرفی کم