بررسی اثر Co Cr Pt (AL0O3) بر روی حافظه ی کامپیوترها و افزایش وادارندگی مغناطیسی
Publish place: 16th Iran"s Electrical Engineering Student Conference
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,148
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE16_272
تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393
Abstract:
امروزه، راهکارهای زیادی در جهت افزایش حافظه ی کامپیوترها، مورد بررسی قرار می گیرد. راه رسیدن به چنین نتایجی در کاهش اندازه دانه های مغناطیسی و با مجزاکردن این دانه ها ممکن است که با افزایش وادارندگی مغناطیسی و همین طور افزایش مغناطیس پسماند منجر گردد. در این پژوهش، نخست با استفاده از روش مگنترون، لایه های Co Cr Pt (AL2O3) با درصدهای مختلف Al2O3 ساخته می شوند. در این حالت، لایه ی تقریباً آمورف و بی شکل تشکیل می شود که دانه های بسیار ریز دارند. سپس با آنیل کردن آنها در دماهای مختلف و تحت زمانهای متفاوت، دما و زمان بهینه، برای رسیدن به حالت کریستالی فیلم مورد بررسی قرار گرفته است. با مطالعه و اندازه گیری میزان نیروی کوئرسیویته به کمک VSM، میزان افزایش آن در شرایط مختلف برای رسیدن به حالت مطلوب، محقق گردیده است. با عملیات حرارتی، لایه های (AL2O3) Co Cr Pt، نیروی وادارندگی به نحو چشمیگری افزایش یافته است، که مقدار این افزایش 2500 اورستد است.
Keywords:
Authors
محمجعفر شفیعی
دانشگاه پیام نور کازرون
محمد شفیعی سیف آبادی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون
زینب زراعت پیشه
دانشگاه پیام نور شیراز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :