محمجعفر شفیعی - دانشگاه پیام نور کازرون
محمد شفیعی سیف آبادی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون
زینب زراعت پیشه - دانشگاه پیام نور شیراز

امروزه، راهکارهای زیادی در جهت افزایش حافظه ی کامپیوترها، مورد بررسی قرار می گیرد. راه رسیدن به چنین نتایجی در کاهش اندازه دانه های مغناطیسی و با مجزاکردن این دانه ها ممکن است که با افزایش وادارندگی مغناطیسی و همین طور افزایش مغناطیس پسماند منجر گردد. در این پژوهش، نخست با استفاده از روش مگنترون، لایه های Co Cr Pt (AL2O3) با درصدهای مختلف Al2O3 ساخته می شوند. در این حالت، لایه ی تقریباً آمورف و بی شکل تشکیل می شود که دانه های بسیار ریز دارند. سپس با آنیل کردن آنها در دماهای مختلف و تحت زمانهای متفاوت، دما و زمان بهینه، برای رسیدن به حالت کریستالی فیلم مورد بررسی قرار گرفته است. با مطالعه و اندازه گیری میزان نیروی کوئرسیویته به کمک VSM، میزان افزایش آن در شرایط مختلف برای رسیدن به حالت مطلوب، محقق گردیده است. با عملیات حرارتی، لایه های (AL2O3) Co Cr Pt، نیروی وادارندگی به نحو چشمیگری افزایش یافته است، که مقدار این افزایش 2500 اورستد است.

حافظه ی کامپیوترها، نیروی کوئرسیویته، لایه های نازک، وادارندگی مغناطیسی