بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد
Publish place: 16th Iran"s Electrical Engineering Student Conference
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,708
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE16_355
تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393
Abstract:
در این مقاله به الزام استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی پیوند ناهمپون با ساختار تحرک الکترونی بالا و بررسی و عملکرد آن جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا می پردازیم. ضروریات، مزایا و محاسبات این گونه از ترانزیستورها به طور کامل تشریح می شود. گونه های مختلف ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد pHEMT، mHEMT و Induced HEMT می باشد. مکانیزم کوانتومی الکترون در کانال و چاه پتانسیل مهمترین ویژگی را برای اینگونه از ترانزیستورها فراهم می کند. شبیه سازی نفوذ – رانشی عددی دوبعدی و مقایسه HEMT با یک ترانزیستور FET معمولی برای برجسته ساختن ویژگی های این ساختار، موردنظر است.
Keywords:
Authors
فرشید کارگشا
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد بوشهر
زهیر کردرستمی
استادیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه شیراز
مسعود برهمن
دانشجوی دکتری برق - الکترونیک دانشگاه شیراز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :