ساخت و محاسبه پارامترهای دیود شاتکی تیتانیم / سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی DC
Publish place: 1st Iranian National Conference Electerical Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,487
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
INCEE01_002
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1393
Abstract:
در این پژوهش، دیود شاتکیتیتانیم/ سیلیکون را با انباشتیک لایه نازک تیتانیم با ضخامت 420 نانومتر بر روی زیرلایه سیلیکون نوع - p و یک لایه آلومینیم با ضخامت 180 نانومتر پشت زیر لایه به روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم (DC) ساخت شده است. پارامترهای اصل یدیو شامل: فاکتور ایده آل (m)، مقاومت متوالی (Rs) و سد پتانسیل (Φb) با استفاده از دو روش آنالیز جریان - ولتاژ و توابع چونگ محاسبه شدند. مقادیر فاکتور ایده آل و سد پتانسیل از آنالیز جریان ولتاژ به ترتیب برابر 2/07 و 0/89 ev ، و با استفاده از توابع چونگ به ترتیب برابر 2/88 و 0/86 ev به دست آمد. همچنین مقدار مقاومت متوالی به طور میانگین از توابع چونگ برابر 31kΩ حاصل شد. مقایسه مقادیر به دست آمده از توابع چونگ و نمودار حاصل از آنالیز جریان - ولتاژ نشان می دهد که دیود شاتکی تشکیل شده است.
Keywords:
Authors
مهران شهریاری
گروه فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، کرج، ایران
شهریار ننه کرانی
گروه فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، کرج، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :