ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین
Publish place: 1st Iranian National Conference Electerical Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 752
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
INCEE01_010
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1393
Abstract:
در این مقاله مشخصات ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانونوار گرافین مورد بررسی قرار خواهد گرفت و ساختار اصلاح شده ای به منظور کاهش جریان خاموشی معرفی می شود. در ساختار پیشنهادی به جای استفاده از یک ناحیه با چگالی بالا در سمت درین، از یک ناحیه با همان اندازه ولی کم چگال که چگالی آن به صورت خطی تا حالت ذاتی در سمت درین کاهش می یابد، استفاده شده است . لذا در سمت درین اتصال شاتکی و در سمت سورس اتصال از نوع اهمی است. مشخصات الکتریکی ساختار پیشنهادی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی (negf) و در فضای مد شبیه سازی و نتایج آن با ساختار تونلی متعارف و با همان ابعاد مقایسه شده است. نتایج حاصل از این مقایسه ها نشان می دهد که جریان خاموشی، رفتار Am-bipolar، نسبت ION/IOFF و همچنین زمان تاخیر و توان مصرفی که بیان کننده رفتار کلیدزنی می باشند، بسیار بهبود یافته است.
Keywords:
Authors
سیده هدی طاهائی گیلان
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
رضا یوسفی
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
سیدصالح قریشی امپری
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :