حسین موحدی علی آباد - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات، خراسان شمالی، بجنورد
فتانه مجرد - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات، خراسان شمالی، بجنورد
سپیده سلطانمرادی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات، خراسان شمالی، بجنورد
المیرا شادکامی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات، خراسان شمالی، بجنورد

در این مقاله دو روش کاربردی Self-Cascode Bulk-Driven(BD) بررسی شده که ابتدا به صورت جداگانه و سپس به صورت ترکیبی و همزمان بر روی یک تقویت کننده عملیاتی کلاس AB در تکنولوژی 0.18μm CMOS اعمال گردیده است. نتایج حاصل از شبیه سازی در روش اول، ولتاژ کاری را تا 0/5V ± کاهش داده و بهره ولتاژ آن 49/6dB و پهنای باند مدار 30/9 MHz گردیده است. در روش دوم که از ولتاژ بالاتری نسبت به روش اول استفاده می کند، افزایش بهره حلقه باز DC بتا 30٪ و رشد CMRR تا 68/8dB نسبت به روش اول را نشان می دهد. بدون تغییر در اندازه ی ترازیستورها و فقط با اعمال هر دو روش فوق بر روی تقویت کننده طراحی شده مرحله اول، علاوه بر تثبیت ولتاژ کاری 0/5V ± ، افزایش بهره حلقه باز DC تا 64/54dB ، افزایش ضریب PSRR تا بیش از 78dB و کاهش توان مصرفی تا 80 μW میسر گردیده است. مقایسه ضریب شایستگی بین نتایج این مقاله و دیگر مقالات حاکی از آن است که این روش ها تا چه اندازه توانسته در کاهش ولتاژ کاری و مصرف توان با حفظ بهره و پهنای باند، موثر واقع شود.

Self-Cascode 8Bulk-Driven، تقویت کننده کلاس AB، FVF