طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS
Publish place: 1st Iranian National Conference Electerical Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,184
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
INCEE01_054
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1393
Abstract:
در این مقاله، یک تقویت کننده پهن باند با نویز کم (LNA) برای کاربردهای باند X و (8 تا 12 گیگاهرتز) طراحی شده است. مدار پیشنهادی متشکل از چهار بخش ترانزیستوری است که با بهره گیری از روش تقویت کننده های موج رونده (TWA) طراحی گردیده است. همچنین از یک فیلتر برای حذف اثر تداخل فرکانسی باندهای مجاور استفاده شده است. مدار طراحی شده از تطبیق خوبی در کل باند X برخوردار بوده و منحنی بهره نیز در عین حال دارای تغییرات اندکی است. شبیه سازی ها در تکنولوژی 0.18 μm RF CMOS با نرم افزار ADS نشان می دهند که بهره در کل باند dB 10.2 ~9.8 و عدد نویز 1.9dB~1.35 است. همچنین توان مصرفی تحت ولتاژ تعذیه 1.8V برابر با 15.8mW است.
Keywords:
تقویت کننده موج رونده (TWA) , تقویت کننده گسترده (DA) , تقویت کننده کم نویز (LNA) , گیرنده , خط انتقال مصنوعی
Authors
نادر جوادی فر
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول، گروه برق و الکترونیک، علی آباد کتول، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :