طراحی گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله ی کربنی (CNTFET)
Publish place: 1st Iranian National Conference Electerical Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,026
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
INCEE01_134
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1393
Abstract:
قطعات مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله ی کربنی (CNTFET) ، قابلیت حرکت بالایی برای انتقال تقریبا بالیستیکی، سرعت حامل بالا برای سوئیچ کردن سریع و همچنین کنترل الکترواستاتیکی بهتر ناشی از ساختار شبه یک بعدی CNTها ارائه می دهد. در این مقاله ما با موفقیت یک مدل فشرده برای CNTFET مشابه MOSFET را بسط داده ایم. مدل CNTFET برای طراحی گیت هایی منطقی استفاده که عملکرد بالاتری از MOSFET مبتنی بر گیت های منطقی و گیت های منطقی که هم محور / هم مرکز گیت بندی شده اند، نشان می دهند. شبیه سازی های HSPICE روی گیت های منطقی طراحی شده، انجام گشته است و رفتارهای خروجی آنها به طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته است. نهایتا یک مقایسه ی توان مصرفی و اندازه ی CNTFET ارائه شده در برابر CNTFET هم محور گیت بندی شده و MOSFET متداول و مرسوم مورد مطالعه قرار گرفته است.
Keywords:
نانو لوله ی کربنی (CNT) , ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) , بردار کایرال , مدل سازی فشرده , گیت های منطقی , MOSFET
Authors
سیدکیوان شمسی پور
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد لاهیجان، گیلان، ایران
پویا طاهرپرور
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد لاهیجان، گیلان، ایران
عباس قدیمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان، گروه برق و الکترونیک، ایران