محمد بادروج - مربی بخش فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول
مرضیه السادات حافظی - کارشناس ارشد، بخش فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس تهران
رسول ملک فر - دانشیار، بخش فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس تهران

در این تحقیق دو نوع نیم رسانا شامل نانوسیم های اکسید روی رشد یافته غیر همجهت و رشد یافته در جهت عمود بر سطح به روش شیمیایی سل-ژل و گرمابی بر مساحت مناسبی از زیرلایه سنتز شدند. این کار به منظور مقایسه عملکرد این دو ساختار در سلول خورشیدی حساس شده به رنگینه انجام شد زیرلایه ها پس از حرارت دهی مناسب در کوره، درون محلول اتانولی 0/5 میلی مولار رنگینه N719 در دمای 80 درجه سانتیگراد به مدت دو ساعت نگهداری شدند. پس از ساخت سلول های خورشیدی جهت بررسی کیفیت عملکرد آنها، به کمک دستگاه پتانسیواستات ، تحت نور شبیه سازی شده خورشید، چگالی جریان-ولتاژ ، فیل فاکتور و بازده آنها اندازه گیری شد. نتایج مشخصه یابی ها نشان داد که استفاده از نانوسیم های اکسید روی رشد یافته در جهت عمود بر سطح زیر لایه باعث بهبود مشهودی در جریان اتصال کوتاه Isc، فیل فاکتور و در نتیجه افزایش بازده سلول می شود.

سلول خورشیدی، رنگینه، نانوسیم اکسید روی، پتانسیواستات، چگالی جریان-ولتاژ، فیل فاکتور