تجزیه تحلیل جابجایی اجباری نانو سیال روی صفحه افقی باحضور میدان مغناطیسی
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 605
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISME22_616
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1393
Abstract:
این مقاله به بررسی ضخامت لایه مرزی نانوسیال روی صفحه افقی در حال حرکت با حضور میدان مغناطیسی می پردازد. برای بررسی پژوهش حاضر از روش رانگ کوتای مرتبه چهار استفاده شده است. مقاله حاضر به تاثیر درصد حجمی نانوذرات و میدان مغناطیسی پرداخته است. با افزایش میدان مغناطیسی ضخامت لایه مرزی حرارتی افزایش می یابد در حالیکه افزایش درصد حجمی نانو سیال تاثیر چندانی بر ضخامت لایه مرزی ندارد.
Keywords:
Authors
اسماعیل لکزیان
استادیار گروه مکانیک دانشگاه حکیم سبزواری سبزوار
بهزاد داودی
داشنجوی کارشناسی ارشد مکانیک، دانشگاه حکیم سبزواریف سبزوار
ادریس ترشیزی
دانشجوی کارشناسی ارشد مکانیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد
سپهر قربان زاده
دانشجوی کارشناسی ارشد مکانیک، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار