پری ناز عطائی - دانشجو ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین، گروه مهندسی برق الکترونیک، قزوین، ایران
رحیم فائز - دانشیار، دانشگاه صنعتی شریف، گروه مهندسی برق- الکترونیک، تهران، ایران
سید سعید حاجی نصیری - استادیار، دانشگاه تربیت مدرس، گروه مهندسی برق – الکترونیک، تهران، ایران

در سال های اخیر نانونوارهای گرافنی بدلیل خصوصیات نیمه هادی برای ساخت نانوافزاره ها مورد توجه قرارگرفته اند. در این نوشتار، شبیه سازی و بررسی های سیستماتیک برای مقایسه اثر نقص مغناطیسی جانشینی اتم Fe در موقعیت های مختلف نانونوارگرافنی انجام شده است. با استفاده از تقریب چگالی موضعی (LDA) در تابع تبادلی و همبستگی، محاسبات تابع چگالی (DFT) را بر روی اتم Fe،که به عنوان ناخالصی مغناطیسی جایگزین اتم های کربن در نانونوارگرافنی می شود، انجام شده است.د ر حالت وجود دو اتم ناخالصی، دو ساختار اسپینی فرومغناطیس و آنتی فرو مغناطیس برای ناخالصی های مغناطیسی بررسی می شود. محاسبات انجام شده با استفاده از نرم افزار Siesta،نشان می دهد که بعد از ریلکس شدن سیستم، اتم Fe مغناطیسی می شود، در حالیکه ناخالصی Fe بر روی ورقه های گرافن رفتاری غیرمغناطیسی نشان می دهد.

نقص مغناطیسی، نانونوارگرافنی، ناخالصی مغناطیسی