کیخسرو خجیر - استادیار فیزیک سطح و لایه های نازک، گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد چالوس

این مقاله به بررسی خواص سنسوری لایه های نازک MoO3تهیه شده با تکنیک کندوپاش مغناطیسی DC به صورت تابعی از شار گاز آرگون می پردازد. لایه های نازکMoO3با ضخامت90nm برروی زیرلایه هایی ازجنس شیشه تحت شارهای مختلف گاز آرگون20-5sccm)انباشت شدند. ساختار کریستالی این لایه ها بااستفاده از پراش پرتو(XRD) X-و ریخت شناسی سطح آنها با استفاده از میکروسکپ نیروی اتمیAFM و میکروسکپ الکترونی روبشیSEMبررسی شد. نتایجXRD نشان داد که نمونه های اکسید مولیبدن انباشت شده در شار های مختلف گاز آرگون همگی بس بلورهایی از فاز پایدار ارتوهومبیک-MoO3بودند. این تحلیل همچنین نشان داد که با افزایش شار گاز آرگون اندازه بلورک ها افزایش و نانوکشش در ساختار لایه ها کاهش می یابد. مطالعه ریخت شناسی سطح نمونه ها نیز نشان داد که اندازه دانه ها (مطابق با تحلیلXRD و زمختی سطح نمونه ها با افزایش شار گاز آرگون افزایش می یابد. بررسی های الکتریکی نیز نشان داد که مقاومت الکتریکی لایه های نازکMoO3 انباشت شده در شارهای بیشتر گاز آرگون بیشتر است، و این درحالی است که افزایش دمای محیط سبب کاهش مقاومت الکتریکی می شود. این تحلیل ها همچنین نشان داد که مقاومت الکتریکی نمونه های اندازه گیری شده در خلا بیشتر از مقاومت اندازه گیری شده در حضور گاز COاست و این کاهش برای نمونه های تهیه شده در شارهای بالای گاز آرگون (یعنی sccm20 ) تا % 50 نیز می رسد، که سبب معرفی این نانو لایه به عنوان یک حسگر گازی شد

لایه های نازک، اکسید مولیبدن، شار گاز آرگون، نانو ساختار، ریخت شناسی سطح، خواص حسگری