بررسی اثر ضخامت لایه نقص متامواد بر باند ممنوعه و مد نقص دربلورهای فوتونی یک بعدی
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 529
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TIAU01_313
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
Abstract:
در این مقاله ما به بررسی بلورهای فوتونی یک بعدی نامتقارن متشکل از شبه مواد با قطبشTEپرداخته ایم. بامحاسبه ضریب عبور، اثر تغییرات ضخامت لایه نقص را بر مد نقص و باند نواری مورد مطالعه قرار داده ایم. نتایجبدست آمده نشان می دهند که با افزایش ضخامت لایه نقص، پهنای باند ممنوعه بیشتر شده و تعداد مدهای نقص نیز افزایش می یابند
Keywords:
فتونیک کریستال- متامواد , مدنقص و باند ممنوعه
Authors
ا درویش زاده
دانشکده فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد قم ، قم، ایران
م.م منتظری
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، موسسه آموزش عالی غیردولتی پویش، قم، ایران
م.ح مجلس آرا
آزمایشگاه فوتونیک، دانشگاه خوارزمی، تهران، ایران
س.م حمیدی
پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران