ایمان باقرپور - دانشگاه آزاد اسلامی واحد سروستان،باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان،سروستان،ایران

افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه های موجود داشته باشند سبب توجه زیاد به گالیوم آرسناید GaAs شده است. این ماده که نخستین بار در اواخر دهه 1920 میلادی به دست آمد ترکیبی از عنصرهای گروه های 3 و 5 جدول تناوبی عناصر است و راهی طولانی را در جاده پژوهش برای رسیدن به بازار نیمه رساناها پیموده است. پاسخ به این پرسش که آیا این ماده جای سیلیسیوم را در این بازار خواهد گرفت یا نه به راستی مشکل است. با استفاده از گالیوم آرسناید، بسیاری از اسباب ها و قطعات الکترونیکی قادرند در بدترین و سخت ترین شرایط، به خوبی کار کنند. مقاومت آن در برابر تابش و کارایی خوب آن در دماهای زیاد، استفاده از آن را در بسیاری از کاربردهای فن آوری امروزه که در آنها عامل جا یا فضا نقشی اساسی بازی می کند، امکان پذیر ساخته است. تحرک بسیار زیاد الکترونها در این ماده، طراحی و ساخت ابر کامپیوترهای سریع تر و کارآمدتر را ممکن ساخته است.

گالیوم، ایندیوم آنتیمونید، سلنیوم، سیلیسیوم