CMOS در ضرب کننده های جریان ، CCII
عنوان مقاله: CMOS در ضرب کننده های جریان ، CCII
شناسه ملی مقاله: AEBSCONF01_124
منتشر شده در همایش ملی الکترونیکی دستاوردهای نوین در علوم مهندسی و پایه در سال 1393
شناسه ملی مقاله: AEBSCONF01_124
منتشر شده در همایش ملی الکترونیکی دستاوردهای نوین در علوم مهندسی و پایه در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:
میلاد عسکری - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
احمد رضا رمضان پور - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
خلاصه مقاله:
میلاد عسکری - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
احمد رضا رمضان پور - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران
در این مقاله یک مدار ضرب کننده CMOS مد جریان چهار ربعی با استفاده از نسل دوم حامل جریان به صورت الکترونیکی (Electronically CCII) پیشنهاد شده است. استفاده از حامل اختلاف جریان دیفرانسیلی (DDCC) بر مبنای تقویت کننده های لگاریتمی- آنتی لگاریتمی پایه و اساس این طراحی می باشد. از مزایای مدار پیشنهادی، پایداری حرارتی بسیار خوب، ساختار ساده و استفاده از تکنولوژی CMOS نسبت به مدارات مشابه در این زمینه می باشد. شبیه سازی با کمک نرم افزار PSPISE با استفاده از پارامترهای Cmos با تکنولوژی 0.5 um نیز کارکرد ساختار پیشنهادی را تایید می کند.
کلمات کلیدی: سلول ضرب کننده، نسل دوم حامل جریان، حامل جریان: CCII، حامل اختلاف جریان دیفرانسیلی، DDCC
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/303830/