بررسی ویژگی های نیمه هادی AIN و کاربردهای آن

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 693

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF01_416

تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393

Abstract:

تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به بهبود قطعات می شود و در قدم گذاشتن بشر به عصر دیجیتال و الکترونیک نوین نقش مهمی را در ارتقا سطح زندگی ایفا می کند. اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازشمی کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و ... نیمه هادی هاست قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه 3 نیتریدی به ویژه نیمه هادی AIN با لایه نشانی بر روی نیمه هادی GaN با لایه نشانی بر روی نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا AIN ساختار کریستالی , انرژی باند گپ , قابلیت تحرک پذیری, فرکانس بالا و توان مصرفی پایین را می دهد . این مقاله به بررسی ویژگی های نیمه هادی آلومینیوم نیترید در قطعات می پردازد

Authors

پریسا اسماعیلی

کارشناس ارشد نانوالکترونیک

کریم عباسیان

استاد دانشگاه تبریز

غلامرضا کیانی

استاد دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • _ Kharagpur , Power Semiconductor Devices , 2009. ...
  • . Muller, Richard S., and Theodore I. Kamins, John Wiley ...
  • .Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel :Fundamentas of S emiconductore : ...
  • . M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui. IEEE Electron ...
  • . Y. Ohno and M. Kuzuhara , IEEE Trans. Electron ...
  • . I. Vurgaftman, J.R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 ...
  • . Eimers, Karlp. , "2D Modeling of GaNhemt In Corporating ...
  • . R. J. Robinson and Z. K. Kun, (1975). Appl. ...
  • . .J.-M.Wagner and F. B echstedt: Properties of strained wurtziteGaN ...
  • . T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Katoh, S. ...
  • . A. Adikimenakis , K.E. Aretouli, E. Iliopoulos, A. Kostopoulos, ...
  • . Iwaya , S. Terao , S. Takanami , A. ...
  • . Ag ostinoZoroddu, Fabio Bernardini, and Paolo Ruggerone ...
  • , andI. Akasaki , (2002):UV -LED Using p -Type ...
  • . J.-M.Wagner and F.B echstedt-20? :Properties of strained wurtziteGaN and ...
  • . Smorchkova IP, Chen L, Mates T, Shen L, Heikman ...
  • .]. Li-Hsien Huang, 1 Su -Hao Yeh, 2 and Ching-Ting ...
  • . PeiqiangXu, Yang Jiang, Yao Chen, Ziguang Ma, Xiaoli Wang, ...
  • نمایش کامل مراجع