بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 694

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF01_561

تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393

Abstract:

دراین مقاله خواص اپتیکی بلور GaAs مانند ثابت دی الکتریک, ضریب شکست خاموشی, تابع اتلاف بازتاب ورسانندگی اپتیکی مطالعه شده است.محاسبات بااستفاده ازروش امواج تخت شده ی خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW درچارچوب نظریه ی تابعی چگالی وبااستفاده ازنرم افزار WIEN2K و با کمک تابعی LSDAو WC صورت گرفته است.تابع دی الکتریک مختلط باتقریب LSDA و WC محاسبه شده است. مقایسه نتایج نشان دهنده تفاوتهای محسوسی درتوابع اپتیکی وخواص الکترونیکی است.

Authors

الهام جلیلی

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه

هاله کنگرلو

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Silicon Strategies, "Gallium arsenide IC market "worth $2.9 billion in ...
  • Newton Centre, MA, August 2004. ...
  • P. K. Bhattacharya, "GaAs-based h eterostructures for optoelectronic devices, " ...
  • M. Feng, P. J. Apostolakis, and W.-H. Chang, "GaAs MESFET: ...
  • MMIC microwave devices, " in Properties of Gallium Arsenide (M. ...
  • H. Ohno, _ Makingn onmagnetic semiconductoe ferromagnetic, _ Science, vol. ...
  • interstitials and interstitit complexes in low- Arsenic؛ه [6] J. I. ...
  • R. Kaspi, "Introduction to epitaxy, " in Properties of Gallium ...
  • K. Mahalingam, N. Otsuka, M. R. Melloch, J. M. Woodall, ...
  • "Substrate temperature dependence of arsenic precipitate formation inA1GaAs and GaAs, ...
  • M. R. Brozel and G. E. Stillman, eds., Properties of ...
  • R. K. Kawakami, E. John ston-Halperin, L. F. Chen, M. ...
  • ID=4720408 [cited31 January 2004]. [2] A. Anwar, "GaAs industry ...
  • forecast: 2003-2008, " tech. rep., Strategy Analytics, Inc., Newton Centre, ...
  • نمایش کامل مراجع