بررسی عددی اثر تغییر جنس اکسید گیت بر مشخصه نویز فلیکر درترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی

پیشرفت روزافزون و سریع تکنولوژی، ادوات الکتریکی را بسمت کوچکسازی میبرد که این کاهش ابعاد، FET های معمولی رابا چالشها و محدودیتهایی که مربوط به ظهور پدیدههای کوانتومی میباشد روبرو میسازد. ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنییکی از ادوات نوظهوری هستند که توانستند پاسخگوی خوبی به این محدودیت ها باشند ما مشخصه نویزفلیکر این ادوات را با بهره گیری از روابط مربوط، محاست ه و مورد تحلیل قررادیم و اثرتغییرجنس اکسیدگیت افزاره برمیزان نویز آن را بررسی کردیم برای شبیه سازی افزاره ازروش تابع گرین غیرتعادلی بهره گرفتیم که درجدیدترین تحقیقات انجام شده نیز موردتوجه محققان بوده است. نتایج حاصل ازپژوهش نشان میدهد چگالی طیف توان نویز فلیکر به جریان ترانزیستوروظرفیت خازن گیت وابسته بوده و هر شاخصی که اثرتغییر آ« درراستای افزایش جریان کانال و کاهش خازن گیت باشد افزایش نویز فلیکر را درپی خواهد داشت بطور خاص ما دریافتیم با ثابت نگاهداشتن سایر مشخصه های افزاره و افزایش ثابت دی الکتریک اکسیدگیت درحالیکه جریان خروجی ترانزیستور افزایش مییابد، نویز فلیکر تقریبا ثابت میماند که ناشی از اثر کاهشی افزایش خازن گیت برمشخصه نویزفلیکردراثر افزایش ثابت دیالکتریک خازن گیت میباشد. از این رهیافت میتوان برای کنترل نویز فلیکر در کاربردهایی که به جریان بالایی نیاز دارند بهره گرفت.

Keywords:

ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی , روش تابع گرین غیرتعادلی , چگالی طیف توان نویز فلیکر , جنس اکسید گیت