افزایش بهره و پهنای باند تقویت کننده توزیع شده
Publish place: 1st National Conference on Development of Civil Engineering, Architecure,Electricity and Mechanical in Iran
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,058
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM01_209
تاریخ نمایه سازی: 18 دی 1393
Abstract:
در این مقاله یک ساختار جدید تشکیل شده از خازن منفی جهت افزایش بهره و پهنای باند تقویت کننده های توزیع شده ارائه گردیده است. ساختار ارائه شده در خط انتقال گیت تقویت کننده توزیع شده استفاده و مدار حاصل در نرم افزارAdvanced Design System (ADS) با استفاده از مدلμm CMOS 0.13 شبیه سازی گردیده است . خازن منفی در خط انتقال گیت اثرات خازن های پارازیتی سلول های بهره را کاهش می دهد و در نتیجه موجب افزایش بهره ولتاژ مدار شده است . بهره ولتاژ شبیه سازی شدهdB17 با تغییر بهره± dB0.5 در باندGHz0.5-40 می باشد. ورودی و خروجی مدار با مقاومت Ω50 تطبیق یافته اند و تلفات برگشتی از ورودی و خروجی به ترتیب زیر-8dBو-9dBمی باشند. این مدار دارای عدد نوی زی کمتر ازdB10 و توان مصرفی آنmW87 از منبع تغذیهv 1.8 است.
Keywords:
Authors
سیدامین علوی
دانشجوی مقطع دکتری برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد
زهره راشکی
دانشجوی مقطع دکتری برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد
سیداحسان علوی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :