بررسی عددی اثر تغییر قطر کانال بر مشخصه نویز فلیکر در ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم نیمههادی سیلیکونی
Publish place: 1st National Conference on Development of Civil Engineering, Architecure,Electricity and Mechanical in Iran
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,322
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM01_228
تاریخ نمایه سازی: 18 دی 1393
Abstract:
به کمک شبیهسازیهای رایانهای تاثیر تغییر قطر کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم نیمههادی سیلیکونی بر مشخصه نویز فلیکر این افزاره را بررسی نمودیم. ما در ابتدا به مطالعه مبانی نویز فلیکر و سپس بدست آوردن شیوه محاسبه چگالیطیف توان نویز مذکور درترانزیستورهای نانوسیم نیمههادی پرداخته و در ادامه با استفاده از یک نرمافزار شبیهساز کوانتومی قدرتمند که محاسبات در آن بر اساسروش تابع گرین غیر تعادلی صورت میپذیرد، منحنیهای جریان- ولتاژ ترانزیستور نانوسیم نیمههادی سیلیکونی گیت فراگیر با تغییر قطر کانال، را بدست آوردیم. سپس بهکمک نرمافزار متلب منحنیهای مربوط به چگالی طیف توان نویز فلیکر را بدست آورده و مورد مقایسه و تحلیل قرار دادیم. نتایج حاصل نشان دادند که با ثابت نگاهداشتن سایر مشخصههای افزاره و کاهش قطر کانال نانوسیم سیلیکونی، میزان چگالی طیف توان نویز فلیکر کاهش می یابد که این امر ناشی از کاهش جریان درین در خلال کاهش قطر کانال می باشد.
Keywords:
ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمههادی سیلیکونی , گیت فراگیر , چگالی طیف توان نویز , نویز فلیکر , تابع گرین غیرتعادلی
Authors
محمدرضا حریری
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت، رشت، ایران
سیدعلی صدیق ضیابری
عضو هیات علمی گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رودبار، رودبار، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :