زهیر کردرستمی - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شیراز، شیراز، ایران
مریم اسفندیار - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، بوشهر، ایران

در این مقاله گیت های منطقی NOT، NAND و NOR که از گیت های پایه در طراحی مدارات دیجیتال وپیاده سازی توابع منطقی می باشد، با استفاده از ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله ی کربنی طراحی شده و پارامترهای مختلف آن از قبیل مصرف توان، تاخیر و PDP مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که با استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی در گیت های منطقی توان مصرفی و تاخیر کاهش می یابد و این نتایج گویای قابلیت های بالای این گیت ها می باشد. علاوه بر آن به بررسی تغییر قطر نانولوله و تعداد آن بر عملکرد گیت وارونگر پرداخته شد. برای نشان دادن کارایی مدارات دیجیتال مبتنی بر ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله ی کربنی، عملکرد گیت وارونگر در دماها ، فرکانس های کاری و بار خروجی متفاوت نیز با تکنولوژی CMOS مقایسه گردیده است. نتایج این مقاله قابلیت جایگزینی گیت های منطقی رایج با گیت های مبتنی بر نانولوله کربنی در مدارهای دیجیتال را به دلیل مزیت های ذکر شده تایید می کند. مدارات ماسفت با تکنولوژی 32nm و مدارات CNTFET با استفاده از مدل این نوع ترانزیستور که شامل کتابخانه ای از پارامترهای فیزیکی و الکتریکی CNTFET می باشد و در سال 2008 توسط دانشگاه استنفورد ارائه شده، شبیه سازی شده است.

ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله ی کربنی،گیت های منطقی پایه،NOT ، NAND ، NOR