امین قاسمی نژاد رائینی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق- الکترونیک سیرجان
مهران ابدالی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق- الکترونیک سیرجان

در این مقاله ابتدا به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی با پیوند شاتکی پرداخته شده است و سپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش این ترانزیستورها نسبت به تغییرات ضخامت عایق گیت و همچنین تغییرات نوع عایق گیت (ضرایب دی الکتریک متفاوت) بررسی و شبیه سازی شده است در شبیه سازی ها از یک نانولوله کربنی با اتصالات شاتکی سورس و درین و بردار کایرال (13.0) استفاده شده است. در انتها با استفاده نمودارها مشاهده خواهد شد که کاهش ضخامت عایق گیت سبب افزایش نسبت جریان روشن به خاموش خواهد شد همچنین استفاده از مواد با ضرایب دی الکتریک بالا نسبت نسبت جریان روشن به خاموش را افزایش داد.

نانولوله کربنی، عایق گیت، پیوند شاتکی، SB-CNTFET