CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی اثر دوپینگ و کاشت یونNa بر سلولهای خورشیدیCIGS

عنوان مقاله: بررسی اثر دوپینگ و کاشت یونNa بر سلولهای خورشیدیCIGS
شناسه ملی مقاله: IAUFASA02_275
منتشر شده در دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:

سیدمحمدصادق هاشمی نسب - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محسن ایمانیه - عضو هیات علمی دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
عباس کمالی - عضو هیات علمی گروه مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

خلاصه مقاله:
یکی از مشکلات عمده امروز، محدودیت در دسترسی به سوختهای فسیلی از یک طرف و عواقب ناشی از مصرف آنها و به خطر افتادن کیفیت زندگی و سلامت انسانها، از طرف دیگر است. به همین دلیل استفاده از منابع انرژیهای دیگر، ضروری بنظر می رسد. انرژی های تجدیدپذیر، بهعنوان منابع انرژی دائمی و پاک، یک پاسخ به این مشکل است. یکی از این انرژیها، انرژی خورشیدی فتوولتائیک است که بطور گسترده ای دردسترس ما است و به عنوان منبع انرژی قابل اعتماد محسوب می شود.[ 1] تحقیق و توسعه در مورد انرژی فتوولتائی، عموماً در دو زمینه کاهش هزینه ها و افزایش بازده صورت می گیرد. سلولهای خورشیدیCIGS در بین دیگر انواع سلولهای خورشیدی، بازده بالاتری دارند. کاشت یون ودوپینگ روشی منحصر بفرد برای ساختار یک سلول خورشیدی را ارائه می دهددر این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختارCu In1-x Gax Se 2 پرداخته شده است.همچنین اثر دوپینگNaوتغییر مقدارx در افزایش بازده مورد بررسی قرار گرفته است

کلمات کلیدی:
سلول خورشیدی،بازده،کاشت یون،فیلم نازک،لایه جاذب،دوپینگ

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/337711/