بررسی تاثیر تغییرات دما و ضخامت عایق گیت درنسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET
عنوان مقاله: بررسی تاثیر تغییرات دما و ضخامت عایق گیت درنسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET
شناسه ملی مقاله: RDERI02_002
منتشر شده در دومین همایش ملی فناوریهای نوین در صنایع برق و رباتیک در سال 1393
شناسه ملی مقاله: RDERI02_002
منتشر شده در دومین همایش ملی فناوریهای نوین در صنایع برق و رباتیک در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:
امین قاسمی نژادرائینی - مجتمع معدنی و صنعتی گل گهرسیرجان سیرجان ایران
مهران ابدالی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق الکترونیک سیرجان ایران
خلاصه مقاله:
امین قاسمی نژادرائینی - مجتمع معدنی و صنعتی گل گهرسیرجان سیرجان ایران
مهران ابدالی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق الکترونیک سیرجان ایران
دراین مقاله ابتدا به بررسی نانولوله های کربنی بااتصالات شاتکی سورس و درین خواهیم پرداخت و شبیه سازی ها به مدلی که اتصال فلز به نانولوله نیمه هادی می باشد محدود خواهد شد درشبیه سازی ها ابتدا نمودار ولتاژ گیت - جریان درین نسبت به تغییرات دما بررسی خواهد شد و همچنین نسبت جریان روشن به خاموش مدل ارایه شده نیز نسبت به تغییرات دما بررسی خواهد شدوسپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش باتوجه به تغییر ضخامت عایق گیت بررسی خواهد شد و باتوجه به نتایج مشخص خواهد شد که باکاهش دما این نسبت کاهش خواهد داشت همچنین با کاهش ضخامت عایق گیت نسبت جریان روشن به خاموش بهبود خواهد یافت
کلمات کلیدی: نانولوله کربنی ، سدشاتکی ، .SB_CNTFET
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/347038/