تحلیل ساختار هندسی و الکتریکی ترانزیستور های اثرمیدان نانولوله های کربنی

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 471

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF02_135

تاریخ نمایه سازی: 16 خرداد 1394

Abstract:

نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان دادهاند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت ، به ازای میدانهای مختلفی که در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت.بر اساس نظریه بور باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. در مطالعه حاظر بررسی می شود، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده میکند، در راستای همین تحقیق نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پیشنهاد می شود، که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد. جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروزی به تحلیل ساختار هندسی و الکتریکی ترانزیستور های اثرمیدان نانولوله های کربنی و گرافیت خواهیم پرداخت .

Keywords:

Authors

محمدرضا خلیلی زیدانلو

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد ، باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان ، بجنورد ، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Jing Guo, Mark Lundstrom, and Supriyo Datta, Applied Physics Letters, ...
  • Ph. Avouris, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, Physica B, ...
  • H. Raffi-Tabar, Physics Reports, (2004) ...
  • Rodney S.Ruoff, DongQian, WingKam Liu, C.R.Physique, 4, (2003), 993. ...
  • Cheung, _ L., Kurtz, A. Park, H. and Lieber, CMJ ...
  • Y. Kobayashi, H. Nakashima, D. Takagi and Y. Homma, Thin ...
  • Anazawa, Kazunori, Shimotani, Kei, Manabe, Chikara, Watanabe, Hiroyuki and Shimizu, ...
  • Lee Seung Jong, Baik Hong Koo, Yoo Jae eun and ...
  • T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, and ...
  • E. Yoo, L. Gao, T. Komatsu, N. Yagai, K. Arai, ...
  • G. Moore, Electronics, 38, (1965), 114. ...
  • A. Bahari, P. Morgen, Surface Science, 602, (2008), 2315. ...
  • Y.X. Liang, T.H. Wang, Physica E, 23, (2004), 232. ...
  • Christian Klinke, Ali Afzali, Chemical Physics Letters, 430, (2006), 75. ...
  • Bae-HorngChen , Jeng _ _ _ _ Lai , Sheng ...
  • Ji-YongPark, N anotechnology, 18, (2007), 095202. ...
  • R.Satio, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, Physical Properties Of Carbon ...
  • Charles Kittle, Introduction o solid state physics 7" dition, John ...
  • Neil W. Ashcroft, N. David Mermin, Solid State Physics, Saunders ...
  • نمایش کامل مراجع