صمد قلندری - دانشجوی کارشاسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
آرش احمدی - عضو هیات علمی گروه برق الکترونیک، دکترای تخصصی، دانشگاه رازی کرمانشاه

نیاز تکنولوژی دنیای الکترونیک همواره موجب حرکت ماسفتها به سمت استفاده از افزارههایی با طول گیت کوچکتر و سرعت بالاتر گردیده است. اگر چه استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزارههای بدنه سیلیکون بوده اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزارهها به ویژه در افزارههای زیر میکرون میشود.در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامترDIBL و اثر خودگرمایی می باشد.

اثر خودگرمایی DIBL –FD SOI Mosfet