A review on the performance of the fourth fundamental bilateral circuit element (memristor) in different circuits
Publish place: The first national electronic conference on technological advances in electrical, electronics and computer engineering
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,080
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TDCONF01_124
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394
Abstract:
The present study considers the reviews done on memristor in the recent years, and also investigates three different models of memristor structure including linear, non-linear and the performance of memristor in high-chaos circuits. As the results of the simulation indicate non-linear model has a better performance than linear one. Two distinct features of memristor include low power consumption and its capability to have a memory
Keywords:
Authors
Mohammad Rasoul Rahmatian
Young Researchers and Elite Club, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran
Hamed Rahimzadeh
Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Kermanshah Branch, Islamic Azad.University, Kermanshah, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :