بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت و بهینه سازی مکان آن در کانال های حاوی نانو سیالات مغناطیسی
Publish place: 15th Iranian Natioanl Congress of Chimical Engineering
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 747
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICHEC15_019
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394
Abstract:
جهت تسریع و بهبود انتقال حرارت درسیستم های مختلف، روش های متعددی ارایه و پیشنهاد شده است . در اینکار پژوهشی، سعی شده است با استفاده از جریان نانو سیالات حساس به میدان مغناطیسی، انتقال حرارت جابهجایی اجباری در حضور میدان مغناطیسی، مورد مطالعه و تحلیل قرار گیرد . سیستم مورد بررسی یک کانال افقی دو بعدی است که دیوارههای آن در دمای ثابت قرار داشته و منبع مغناطیسی به صورت دو قطبی مغناطیسی عمود بر جهت عبور جریان قرار گرفته است. بررسیها نشان میدهد که وجود المان مغناطیسی سبب افزایش عدد ناسلت متوسط میشود و با بالارفتن شدت میدان این افزایش بیشتر می گردد . هم چنین مشاهده شد بیشترین اثر میدان روی عدد ناسلت هنگامی اتفاق می افتد که تنها از یک المان مغناطیسی با کل توان و آن هم در وسط کانال استفاده گردد
Keywords:
Authors
فرزاد فدایی
دانشجوی دکتری دانشکده مهندسی شیمی و نفت دانشگاه صنعتی شریف
اصغر مولایی دهکردی
استاد دانشکده مهندسی شیمی و نفت دانشگاه صنعتی شریف
محمد شاهرخی
استاد دانشکده مهندسی شیمی و نفت دانشگاه صنعتی شریف
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :