CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت و بهینه سازی مکان آن در کانال های حاوی نانو سیالات مغناطیسی

عنوان مقاله: بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت و بهینه سازی مکان آن در کانال های حاوی نانو سیالات مغناطیسی
شناسه ملی مقاله: ICHEC15_019
منتشر شده در پانزدهمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:

فرزاد فدایی - دانشجوی دکتری دانشکده مهندسی شیمی و نفت دانشگاه صنعتی شریف
اصغر مولایی دهکردی - استاد دانشکده مهندسی شیمی و نفت دانشگاه صنعتی شریف
محمد شاهرخی - استاد دانشکده مهندسی شیمی و نفت دانشگاه صنعتی شریف

خلاصه مقاله:
جهت تسریع و بهبود انتقال حرارت درسیستم های مختلف، روش های متعددی ارایه و پیشنهاد شده است . در اینکار پژوهشی، سعی شده است با استفاده از جریان نانو سیالات حساس به میدان مغناطیسی، انتقال حرارت جابهجایی اجباری در حضور میدان مغناطیسی، مورد مطالعه و تحلیل قرار گیرد . سیستم مورد بررسی یک کانال افقی دو بعدی است که دیوارههای آن در دمای ثابت قرار داشته و منبع مغناطیسی به صورت دو قطبی مغناطیسی عمود بر جهت عبور جریان قرار گرفته است. بررسیها نشان میدهد که وجود المان مغناطیسی سبب افزایش عدد ناسلت متوسط میشود و با بالارفتن شدت میدان این افزایش بیشتر می گردد . هم چنین مشاهده شد بیشترین اثر میدان روی عدد ناسلت هنگامی اتفاق می افتد که تنها از یک المان مغناطیسی با کل توان و آن هم در وسط کانال استفاده گردد

کلمات کلیدی:
نانوسیال مغناطیسی، میدان مغناطیسی، انتقال حرارت جابهجایی اجباری، بهینه سازی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/367916/