امین قاسمی نژاد رائینی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان، گروه مهندسی برق- الکترونیک، سیرجان، ایران
زهیر کرد رستمی - دانشگاه صنعتی شیراز، دانشکده مهندسی برق- الکترونیک، شیراز، ایران
مهران ابدالی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان، گروه مهندسی برق- الکترونیک، سیرجان، ایران

در این مقاله ابتدا به بررسی نانولوله های کربنی با اتصالات شاتکی سورس و درین خواهیم پرداخت و شبیه سازیها به مدلی که اتصال فلز به نانولوله نیمه هادی میباشد محدود خواهد شد. در شبیه سازی ها ابتدا نمودار ولتاژ گیت-جریان درین نسبت به ارتفاع های مختلف سد شاتکی بررسی خواهد شد و همچنین نسبت جریان روشن به خاموش مدل ارایه شده نیز نسبت به تغییرات ارتفاع سد شاتکی بررسی خواهد شد و سپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش با توجه به تغییر نسبت طول کانال به ضخامت اکسید بررسی خواهد شد و با توجه به نتایج مشخص خواهد شد که با افزایش این نسبت به 18 نسبت جریان روشن به خاموش بهبود خواهد یافت.

نانولوله کربنی، سدشاتکی .SB_CNTFET ،