بهناز افخمی عقدا - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات یزد
علی مفتخرزاده - دانشگاه یزد
سیدمهدی حسینی - دانشگاه صنعتی شیراز

در این مقاله اثر میدانمغناطیسی و دما بر روی حساسیت سنسورهای ساخته شده از گرافین در دماهای پایین مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور انرژی آزاد و انرژی فرمی یک نمونه گرافیتی تک لایه محاسبه شده اند. در ادامه با استفاده از این کمیت ها، پاسخ سنسور بر حسب دما در میدان های مغناطیسی گوناگونی محاسبه و نمودار آن رسم شده است. همچنین، نمودار لگاریتمی پاسخ تراشه به حسب میدان مغناطیسی در دماهای مختلف برای بررسی بیشتر آورده شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش میدان مغناطیسی در دمای مشخص، حساسیت سنسور کاهش می یابد در حالی که، حساسیت سنسور با دما رابطه مستقیم دارد و با افزایش دما در میدانمغناطیسی مشخص حساسیت افزایش می دهد.

حساسه های نوری، گرافینی تک لایه، میدان مغناطیسی، دما