طراحی شبیه سازی آشکار ساز تراهرتز گرافنی در دماهای متفاوت

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 695

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE06_315

تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394

Abstract:

اهمیت و وسعت کاربرد آشکارسازی های مادون قرمز و تراهرتز بر کسی پوشیده نیست. اهمیت اساسی این نوع آشکارسازها در آشکارسازی طیفی از نور است که بیشتر اجسام از خود تابش می کنند که در طیف غیر مرئی قرار دارد. در این مقاله عملکرد یک آشکارساز تراهرتز گرافنی در دماهای مختلف با محاسبه ی جریان تاریکی و دتکتیویته مورد ارزیابی قرار گرفته است. این دو پارامتر به ازای دماها، ولتاژهای بایاس و عرض های مختلف لایه ی گرافن محاسبه و تحلیل گردیده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده ی نتایج قابل قبول در دماهای بالاتر است. همچنین برای لایه ی گرافن باریک (حدوداض بین 0 تا 5 نانومتر) دتکتیویته با افزایش ولتاژ گیت افزایش می یابد.

Authors

ممتاز محمدیان

دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر

سعید ادیب زاده

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تبریز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Novoselov, K. S.; Geim, A.K.; Morozov, S.V., Jiang, D.; Zhang, ...
  • Lee, C.; Wei, X.; Kysar, J.; Hone, J. "Measurment of ...
  • Balandin, A.A.; Miao, F; Lau, C.N."Superior thermal conductivity of single ...
  • Neto, A.H.C.:Guinea. F.; Peres, N.M.R.; novoselov, K.S.; Geim, A. "The ...
  • Ahmadi, E; Asgari, A. "Modeling of the infrared photodetector based ...
  • grap henenanorib bons", J. Appl. Phys. 113, 093 106-093106-7, 2013. ...
  • نمایش کامل مراجع