مهندسی ساختار ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر گرافن
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,000
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AIHE09_028
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
تاکنون انواع مختلفی از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی معرفی شده اند که ترانزیستور اثر میدانی تونلی یکی از آن ها است. مزیت اصلی ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی، شیب زیرآستانه مناسبی است که از خود نشان می دهند. اما جریان روشنائی کم، یکی از مشکلات کلیدی این نوع ترانزیستورها است. تاکنون روش های مختلفی برای بهبود مشخصات کیفی این ترانزیستور انجام شده است. در یکی از این روش ها که برای ترانزیستور سیلیکونی تونلی پیشنهاد شده، از یک لایه نازک n بین منطقه ذاتی کانال و ناحیه سورس استفاده شده است. در این مقاله، اثر استفاده از اضافه نمودن این لایه بر روی مشخصات ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار می گیرد. نتایج حاصل از شبیه سازی ها، اثر قابل ملاحظه این ناحیه بر مشخصات روشنائی، خاموشی و کلیدزنی افزاره مورد بررسی را نشان می دهد.
Keywords:
Authors
فرشته رستمی
کارشناسی ارشد برق-الکترونیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
رضا یوسفی
دکتری برق-الکترونیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :