تقویت کننده کم نویز پهن باند در باند فرکانسی 3- 5 گیگا هرتز با استفاده از روشهای گین بوست و مصرف دوباره جریان در تکنولوژی TSMC CMOS .18 um

تقویت کننده کم نویز با توپولوژی گیت مشترک گین بوست شده دیفرانسیلی با استفاده از تکنیک مصرف دوباره جریان جهت کاهش توان مصرفی مدار و پهنای باند عریض از محدوده فرکانسی (3 تا 5 گیگا هرتز) به پهنای باند 2 گیگا هرتز در این مقاله ارائه شده است. در این ساختار از یک تقویت کننده گیت مشترک که با بهره گیری از طبقه سورس مشترک بعنوان تقویت کننده افزایش دهنده گین به صورت دیفرانسیلی و تکنیک استفاده جریان طبقه سورس مشترک در طبقه گیت مشترک استفاده شده است.با استفاده از ترانزیستورهای کانال کوتاه و شبکه فیلترینگ بین طبقات نویز تولیدی به شدت کاهش یافته است این تقویت کننده در تکنولوژی TSMC CMOS 0.18 umطراحی شده است . مقادیر S11 از مقدار 2 الی 14bd-؛ S12 از مقدار 32- الی 40db ، S21 مقدار 15db؛ S22 مقدار 8 الی NF, -20db مدار کمتر از 2db، پهنای باند مدار به مقدار 2 گیگا هرتز و ولتاژمصرفی 1.8 ولت می باشد.